IPD65R650CEAUMA1
IPD65R650CEAUMA1
Part Number:
IPD65R650CEAUMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15969 Pieces
Datový list:
IPD65R650CEAUMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD65R650CEAUMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD65R650CEAUMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD65R650CEAUMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 210µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:CoolMOS™ CE
RDS On (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 2.1A, 10V
Ztráta energie (Max):86W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:SP001396908
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IPD65R650CEAUMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 650V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):650V
Popis:MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře