Koupit IPD65R400CEAUMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 320µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3 |
Série: | CoolMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 3.2A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 118W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ostatní jména: | SP001466800 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 6 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPD65R400CEAUMA1 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 710pF @ 100V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 39nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | Super Junction |
Rozšířený popis: | N-Channel 650V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 650V |
Popis: | MOSFET N-CH 650V TO-252 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 15.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |