Koupit TK32E12N1,S1X s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 500µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-220 |
Série: | U-MOSVIII-H |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 98W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-220-3 |
Ostatní jména: | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | TK32E12N1,S1X |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2000pF @ 60V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 120V |
Popis: | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |