Koupit IPB025N08N3 G s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 3.5V @ 270µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO263-2 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 300W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Ostatní jména: | IPB025N08N3 G-ND IPB025N08N3G IPB025N08N3GATMA1 SP000311980 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 12 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPB025N08N3 G |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 14200pF @ 40V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 80V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 6V, 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 80V |
Popis: | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |