STW24N60DM2
STW24N60DM2
Part Number:
STW24N60DM2
Výrobce:
ST
Popis:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16650 Pieces
Datový list:
STW24N60DM2.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro STW24N60DM2, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu STW24N60DM2 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit STW24N60DM2 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-247
Série:FDmesh™ II Plus
RDS On (Max) @ Id, Vgs:200 mOhm @ 9A, 10V
Ztráta energie (Max):150W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Ostatní jména:497-14582-5
STW24N60DM2-ND
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:24 Weeks
Výrobní číslo výrobce:STW24N60DM2
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1055pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře