TK100L60W,VQ
TK100L60W,VQ
Part Number:
TK100L60W,VQ
Výrobce:
Toshiba Semiconductor
Popis:
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19674 Pieces
Datový list:
TK100L60W,VQ.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro TK100L60W,VQ, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu TK100L60W,VQ e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit TK100L60W,VQ s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.7V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-3P(L)
Série:DTMOSIV
RDS On (Max) @ Id, Vgs:18 mOhm @ 50A, 10V
Ztráta energie (Max):797W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-3PL
Ostatní jména:TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
Provozní teplota:150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:TK100L60W,VQ
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:15000pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Rozšířený popis:N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře