SQM120N04-1M7L_GE3
SQM120N04-1M7L_GE3
Part Number:
SQM120N04-1M7L_GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15030 Pieces
Datový list:
SQM120N04-1M7L_GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SQM120N04-1M7L_GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SQM120N04-1M7L_GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SQM120N04-1M7L_GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-263
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):375W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ostatní jména:SQM120N04-1M7L-GE3
SQM120N04-1M7L-GE3TR
SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND
SQM120N04-1M7L_GE3TR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SQM120N04-1M7L_GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:14606pF @ 20V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:285nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):40V
Popis:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře