SI7382DP-T1-GE3
SI7382DP-T1-GE3
Part Number:
SI7382DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16243 Pieces
Datový list:
SI7382DP-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI7382DP-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI7382DP-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI7382DP-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:4.7 mOhm @ 24A, 10V
Ztráta energie (Max):1.8W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI7382DP-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 14A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:14A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře