SI7388DP-T1-E3
SI7388DP-T1-E3
Part Number:
SI7388DP-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13942 Pieces
Datový list:
SI7388DP-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI7388DP-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI7388DP-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI7388DP-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.6V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 19A, 10V
Ztráta energie (Max):1.9W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI7388DP-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 12A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře