SI5906DU-T1-GE3
SI5906DU-T1-GE3
Part Number:
SI5906DU-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12115 Pieces
Datový list:
SI5906DU-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI5906DU-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI5906DU-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI5906DU-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® ChipFet Dual
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:31 mOhm @ 4.8A, 10V
Power - Max:10.4W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® ChipFET™ Dual
Ostatní jména:SI5906DU-T1-GE3-ND
SI5906DU-T1-GE3TR
SI5906DUT1GE3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI5906DU-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Rozšířený popis:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře