SI4276DY-T1-E3
Part Number:
SI4276DY-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13449 Pieces
Datový list:
SI4276DY-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI4276DY-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI4276DY-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI4276DY-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Dodavatel zařízení Package:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Power - Max:3.6W, 2.8W
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI4276DY-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1000pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Typ FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Rozšířený popis:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.6W, 2.8W Surface Mount 8-SO
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře