Koupit RGTH00TS65GC11 s BYCHPS
Koupit se zárukou
RGTH00TS65GC11
- Part Number:
- RGTH00TS65GC11
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- IGBT 650V 85A 277W TO-247N
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 12643 Pieces
- Datový list:
- RGTH00TS65GC11.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro RGTH00TS65GC11, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RGTH00TS65GC11 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 50A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 39ns/143ns |
| přepínání energie: | - |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247N |
| Série: | - |
| Power - Max: | 277W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 15 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | RGTH00TS65GC11 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 94nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N |
| Popis: | IGBT 650V 85A 277W TO-247N |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 200A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 85A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RGTH00TS65GC11
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
RGTH00TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 85A 277W TO-247N | Dotaz |
 |
RJP60D0DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 45A 35W TO-220FL | Dotaz |
 |
IHD06N60RA | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | Dotaz |
 |
APT15GT60BRDQ1G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 42A 184W TO247 | Dotaz |
 |
IRG4PC40FPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 49A 160W TO247AC | Dotaz |
 |
FGB3040CS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 21A 150W TO263-6 | Dotaz |
 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 54A 167W D2PAK | Dotaz |
|
APT25GT120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 54A 347W TO247 | Dotaz |
|
IRG4PC60U-PPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 75A 520W TO247AC | Dotaz |
 |
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
 |
NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | Dotaz |
 |
STGWT40H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L | Dotaz |
 |
IXGP42N30C3 | IXYS | IGBT 300V 223W TO220AB | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog