Koupit IKW50N65H5AXKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IKW50N65H5AXKSA1
- Part Number:
- IKW50N65H5AXKSA1
- Popis:
- IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13851 Pieces
- Datový list:
- IKW50N65H5AXKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IKW50N65H5AXKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IKW50N65H5AXKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 50A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 25A, 12 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 21ns/173ns |
| přepínání energie: | 450µJ (on), 160µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO247-3 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™ |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 58ns |
| Power - Max: | 270W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| Ostatní jména: | SP001187522 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IKW50N65H5AXKSA1 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench |
| Gate Charge: | 116nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3 |
| Popis: | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 150A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 80A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IKW50N65H5AXKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 319.2W TO247 | Dotaz |
|
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N60T | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 333W TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N60TA | Infineon Technologies | IGBT 600V 80A 333W TO247-3 | Dotaz |
|
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 100A 333W TO247-3 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog