Koupit RGT40NS65DGTL s BYCHPS
Koupit se zárukou
RGT40NS65DGTL
- Part Number:
- RGT40NS65DGTL
- Výrobce:
- LAPIS Semiconductor
- Popis:
- IGBT 650V 40A 161W TO-263S
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18413 Pieces
- Datový list:
- RGT40NS65DGTL.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro RGT40NS65DGTL, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RGT40NS65DGTL e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 20A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 22ns/75ns |
| přepínání energie: | - |
| Dodavatel zařízení Package: | LPDS (TO-263S) |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 58ns |
| Power - Max: | 161W |
| Obal: | Original-Reel® |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | RGT40NS65DGTLDKR |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 15 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | RGT40NS65DGTL |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 40nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 40A 161W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| Popis: | IGBT 650V 40A 161W TO-263S |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 60A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro RGT40NS65DGTL
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
GPA030A135MN-FDR | Global Power Technologies Group | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN | Dotaz |
 |
IRGB4045DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 77W TO220AB | Dotaz |
 |
IRG4PC40U | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | Dotaz |
 |
IXBL64N250 | IXYS | IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5 | Dotaz |
 |
IRG7CH20K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | Dotaz |
 |
IXGH34N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247AD | Dotaz |
|
IRGP4640DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 65A 250W TO247AD | Dotaz |
 |
RGT40TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 40A 144W TO-247N | Dotaz |
 |
GPA042A100L-ND | Global Power Technologies Group | IGBT 1000V 60A 463W TO264 | Dotaz |
 |
IRG4IBC30UD | Infineon Technologies | IGBT 600V 17A 45W TO220FP | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog