Koupit GPA030A135MN-FDR s BYCHPS
Koupit se zárukou
GPA030A135MN-FDR
- Part Number:
- GPA030A135MN-FDR
- Výrobce:
- Global Power Technologies Group
- Popis:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 14358 Pieces
- Datový list:
- GPA030A135MN-FDR.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro GPA030A135MN-FDR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu GPA030A135MN-FDR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1350V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 30A |
| Zkušební podmínky: | 600V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 30ns/145ns |
| přepínání energie: | 4.4mJ (on), 1.18mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-3PN |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 450ns |
| Power - Max: | 329W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-3 |
| Ostatní jména: | 1560-1221-1 1560-1221-1-ND |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | GPA030A135MN-FDR |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 300nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 1350V 60A 329W Through Hole TO-3PN |
| Popis: | IGBT 1350V 60A 329W TO3PN |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 90A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro GPA030A135MN-FDR
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB4B60KD1PBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W TO220AB | Dotaz |
 |
IRG4PC40U | Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 160W TO247AC | Dotaz |
 |
GPA030A120MN-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO3PN | Dotaz |
 |
IXGH34N60B2 | IXYS | IGBT 600V 70A 190W TO247AD | Dotaz |
 |
GPA030A120I-FD | Global Power Technologies Group | IGBT 1200V 60A 329W TO247 | Dotaz |
|
IXGH25N100U1 | IXYS | IGBT 1000V 50A 200W TO247AD | Dotaz |
 |
IRG4BH20K-STRLP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 11A 60W D2PAK | Dotaz |
 |
IKZ75N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A CO-PACK TO-247-4 | Dotaz |
 |
APT60GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 500W TO247 | Dotaz |
 |
RJH60D3DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 35A 30W TO220FL | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog