NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G
Part Number:
NDD60N360U1T4G
Výrobce:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16976 Pieces
Datový list:
NDD60N360U1T4G.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro NDD60N360U1T4G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu NDD60N360U1T4G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit NDD60N360U1T4G s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:DPAK-3
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:360 mOhm @ 5.5A, 10V
Ztráta energie (Max):114W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:7 Weeks
Výrobní číslo výrobce:NDD60N360U1T4G
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 50V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře