Koupit IXFN82N60Q3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 6.5V @ 8mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | SOT-227B |
Série: | HiPerFET™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 41A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 960W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Chassis Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IXFN82N60Q3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 13500pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 275nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 600V 66A 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
Popis: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 66A |
Email: | [email protected] |