Koupit IXFN80N50 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 8mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | SOT-227B |
Série: | HiPerFET™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 500mA, 10V |
Ztráta energie (Max): | 780W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | SOT-227-4, miniBLOC |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Chassis Mount |
Výrobní standardní doba výroby: | 8 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IXFN80N50 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 9890pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 500V 80A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 500V |
Popis: | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 80A |
Email: | [email protected] |