Koupit IXFH11N80 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4.5V @ 4mA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-247AD (IXFH) |
Série: | HiPerFET™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 500mA, 10V |
Ztráta energie (Max): | 300W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-247-3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Výrobní číslo výrobce: | IXFH11N80 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 800V |
Popis: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |