IXFH12N120P
IXFH12N120P
Part Number:
IXFH12N120P
Výrobce:
IXYS Corporation
Popis:
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
13332 Pieces
Datový list:
IXFH12N120P.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IXFH12N120P, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IXFH12N120P e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IXFH12N120P s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:6.5V @ 1mA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-247AD (IXFH)
Série:HiPerFET™, PolarP2™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:1.35 Ohm @ 500mA, 10V
Ztráta energie (Max):543W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-247-3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:IXFH12N120P
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:5400pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 1200V (1.2kV) 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Drain na zdroj napětí (Vdss):1200V (1.2kV)
Popis:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře