IRFB9N60A
IRFB9N60A
Part Number:
IRFB9N60A
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
Stav volného vedení / RoHS:
Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
dostupné množství:
18521 Pieces
Datový list:
1.IRFB9N60A.pdf2.IRFB9N60A.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IRFB9N60A, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IRFB9N60A e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IRFB9N60A s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220AB
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:750 mOhm @ 5.5A, 10V
Ztráta energie (Max):170W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-220-3
Ostatní jména:*IRFB9N60A
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IRFB9N60A
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Drain na zdroj napětí (Vdss):600V
Popis:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:9.2A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře