IPD800N06NGBTMA1
IPD800N06NGBTMA1
Part Number:
IPD800N06NGBTMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
19502 Pieces
Datový list:
IPD800N06NGBTMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD800N06NGBTMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD800N06NGBTMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD800N06NGBTMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 16µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 16A, 10V
Ztráta energie (Max):47W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:IPD800N06N G
IPD800N06N G-ND
IPD800N06NGINTR
IPD800N06NGINTR-ND
IPD800N06NGXT
SP000204179
SP000443764
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IPD800N06NGBTMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 30V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 16A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře