Koupit IPD30N03S2L20ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2V @ 23µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3-11 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 18A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 60W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ostatní jména: | IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-20-ND SP000254466 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 26 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | IPD30N03S2L20ATMA1 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 530pF @ 25V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 30V 30A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Popis: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |