Koupit IKP10N60TXKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
IKP10N60TXKSA1
- Part Number:
- IKP10N60TXKSA1
- Popis:
- IGBT 600V 20A 110W TO220-3
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17910 Pieces
- Datový list:
- IKP10N60TXKSA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro IKP10N60TXKSA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IKP10N60TXKSA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.05V @ 15V, 10A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 12ns/215ns |
| přepínání energie: | 430µJ |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO220-3 |
| Série: | TrenchStop® |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 115ns |
| Power - Max: | 110W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-220-3 |
| Ostatní jména: | IKP10N60T IKP10N60T-ND SP000683062 |
| Provozní teplota: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | IKP10N60TXKSA1 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT, Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 62nC |
| Rozšířený popis: | IGBT NPT, Trench Field Stop 600V 20A 110W Through Hole PG-TO220-3 |
| Popis: | IGBT 600V 20A 110W TO220-3 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 30A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IKP10N60TXKSA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG4BC20FD-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | Dotaz |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | Dotaz |
 |
FGB30N6S2DT | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | Dotaz |
 |
IXGK400N30C3 | IXYS | IGBT 300V 400A TO264AA | Dotaz |
 |
RJP60F0DPM-00#T1 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 50A 40W TO-3PFM | Dotaz |
 |
IRG7CH11K10EF | Infineon Technologies | IGBT 1200V DIE | Dotaz |
 |
IXA12IF1200PB | IXYS | IGBT 1200V 20A 85W TO220 | Dotaz |
 |
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | Dotaz |
 |
IXA4IF1200UC | IXYS | IGBT 1200V 9A 45W TO252AA | Dotaz |
 |
APT30GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 64A 250W TO247 | Dotaz |
 |
IXGH24N60C4 | IXYS | IGBT 600V 56A 190W TO247 | Dotaz |
 |
IXGA12N60B | IXYS | IGBT 600V 24A 100W TO263AA | Dotaz |
 |
IXGX40N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 75A 250W PLUS247 | Dotaz |
|
IRG7CH75UED-R | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | Dotaz |
|
ISL9V2040S3ST | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 430V 10A 130W TO263AB | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog