Koupit APT150GN60LDQ4G s BYCHPS
Koupit se zárukou
APT150GN60LDQ4G
- Part Number:
- APT150GN60LDQ4G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- IGBT 600V 220A 536W TO-264L
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16959 Pieces
- Datový list:
- APT150GN60LDQ4G.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro APT150GN60LDQ4G, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu APT150GN60LDQ4G e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 1.85V @ 15V, 150A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 44ns/430ns |
| přepínání energie: | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-264 [L] |
| Série: | - |
| Power - Max: | 536W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-264-3, TO-264AA |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | APT150GN60LDQ4G |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 970nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L] |
| Popis: | IGBT 600V 220A 536W TO-264L |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 450A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 220A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APT150GN60LDQ4G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dotaz |
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | Dotaz |
 |
APT15DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | Dotaz |
 |
APT15S20KCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220 | Dotaz |
|
APT15GP60KG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 56A 250W TO220 | Dotaz |
|
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dotaz |
|
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | Dotaz |
 |
APT15S20KG | Microsemi Corporation | DIODE SCHOTTKY 200V 25A TO220 | Dotaz |
|
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dotaz |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | Dotaz |
|
APT15GN120KG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 45A 195W TO220 | Dotaz |
|
APT15GF120JCU2 | Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 | Dotaz |
|
APT15DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog