C2M1000170J-TR
C2M1000170J-TR
Part Number:
C2M1000170J-TR
Výrobce:
Cree
Popis:
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17250 Pieces
Datový list:
C2M1000170J-TR.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro C2M1000170J-TR, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu C2M1000170J-TR e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit C2M1000170J-TR s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.1V @ 500µA (Typ)
Technika:SiCFET (Silicon Carbide)
Dodavatel zařízení Package:D2PAK (7-Lead)
Série:C2M™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2A, 20V
Ztráta energie (Max):78W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-263-7 (Straight Leads)
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:8 Weeks
Výrobní číslo výrobce:C2M1000170J-TR
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 1000V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 20V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 1700V (1.7kV) 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Drain na zdroj napětí (Vdss):1700V (1.7kV)
Popis:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře