SQM50P03-07_GE3
Part Number:
SQM50P03-07_GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16088 Pieces
Datový list:
SQM50P03-07_GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SQM50P03-07_GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SQM50P03-07_GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SQM50P03-07_GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-263 (D²Pak)
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):150W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TA)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SQM50P03-07_GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:5380pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 30V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET P-CH 30V 50A TO263
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře