IPD053N08N3GBTMA1
IPD053N08N3GBTMA1
Part Number:
IPD053N08N3GBTMA1
Výrobce:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Popis:
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17506 Pieces
Datový list:
IPD053N08N3GBTMA1.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro IPD053N08N3GBTMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu IPD053N08N3GBTMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit IPD053N08N3GBTMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 90µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PG-TO252-3
Série:OptiMOS™
RDS On (Max) @ Id, Vgs:5.3 mOhm @ 90A, 10V
Ztráta energie (Max):150W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ostatní jména:IPD053N08N3 G
IPD053N08N3 G-ND
IPD053N08N3 GTR-ND
IPD053N08N3G
SP000395183
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:IPD053N08N3GBTMA1
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:4750pF @ 40V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Drain na zdroj napětí (Vdss):80V
Popis:MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře