Koupit IPD053N06N3GBTMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 4V @ 58µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PG-TO252-3 |
Série: | OptiMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 115W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ostatní jména: | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND SP000453318 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | IPD053N06N3GBTMA1 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 6600pF @ 30V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 82nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 60V |
Popis: | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
Email: | [email protected] |