Koupit TPH1R712MD,L1Q s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1.2V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 8-SOP Advance (5x5) |
Série: | U-MOSVI |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 30A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 78W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-PowerVDFN |
Ostatní jména: | TPH1R712MD,L1Q(M TPH1R712MDL1QTR |
Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | TPH1R712MD,L1Q |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 10900pF @ 10V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 182nC @ 5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | P-Channel 20V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 2.5V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Popis: | MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |