Koupit TK8A60W,S4VX s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 3.7V @ 400µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | TO-220SIS |
Série: | DTMOSIV |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 4A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 30W (Tc) |
Obal: | Tube |
Paket / krabice: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Ostatní jména: | TK8A60W,S4VX(M TK8A60WS4VX |
Provozní teplota: | 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | TK8A60W,S4VX |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 570pF @ 300V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 18.5nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | Super Junction |
Rozšířený popis: | N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
Popis: | MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
Email: | [email protected] |