SUP90142E-GE3
SUP90142E-GE3
Part Number:
SUP90142E-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
18100 Pieces
Datový list:
SUP90142E-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SUP90142E-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SUP90142E-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SUP90142E-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220AB
Série:ThunderFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:15.2 mOhm @ 30A, 10V
Ztráta energie (Max):375W (Tc)
Paket / krabice:TO-220-3
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SUP90142E-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:31200pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 200V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):7.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):200V
Popis:MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře