Koupit STGW80H65DFB-4 s BYCHPS
Koupit se zárukou
STGW80H65DFB-4
- Part Number:
- STGW80H65DFB-4
- Výrobce:
- ST
- Popis:
- IGBT BIPO 650V 80A TO247
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 18725 Pieces
- Datový list:
- STGW80H65DFB-4.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro STGW80H65DFB-4, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu STGW80H65DFB-4 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 80A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 80A, 10 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 84ns/280ns |
| přepínání energie: | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | TO-247-4L |
| Série: | - |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 85ns |
| Power - Max: | 469W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-4 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | STGW80H65DFB-4 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 414nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247-4L |
| Popis: | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 240A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 120A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STGW80H65DFB-4
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
STGW80H65DFB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | Dotaz |
 |
STGW80H65FB-4 | STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 80A TO247 | Dotaz |
 |
IXGX72N60A3H1 | IXYS | IGBT 600V 75A 540W PLUS247 | Dotaz |
|
STGW80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO-247 | Dotaz |
|
STGW80V60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | Dotaz |
|
STGW80V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 120A 469W TO247 | Dotaz |
 |
RJH1BG7RDPK-00#T0 | Renesas Electronics America | IGBT 1100V 60A 250W TO247 | Dotaz |
 |
IRG7PH28UD1MPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 115W TO247AC | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers