Koupit STGB4M65DF2 s BYCHPS
Koupit se zárukou
STGB4M65DF2
- Part Number:
- STGB4M65DF2
- Výrobce:
- ST
- Popis:
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 17819 Pieces
- Datový list:
- STGB4M65DF2.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro STGB4M65DF2, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu STGB4M65DF2 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 2.1V @ 15V, 4A |
| Zkušební podmínky: | 400V, 4A, 47 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 12ns/86ns |
| přepínání energie: | 40µJ (on), 136µJ (off) |
| Dodavatel zařízení Package: | D2PAK |
| Série: | M |
| Reverse Time Recovery (TRR): | 133ns |
| Power - Max: | 68W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | 497-16964-2 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 20 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce: | STGB4M65DF2 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | Trench Field Stop |
| Gate Charge: | 15.2nC |
| Rozšířený popis: | IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount D2PAK |
| Popis: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 16A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 8A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro STGB4M65DF2
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IRG7PH50K10D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 1200V 90A 400W TO247AD | Dotaz |
 |
FGB3245G2_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT | Dotaz |
 |
IRG4BC30W-S | Infineon Technologies | IGBT 600V 23A 100W D2PAK | Dotaz |
 |
IRGP4066DPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO247AC | Dotaz |
 |
STGB40V60F | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W D2PAK | Dotaz |
|
STGB40H65FB | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | Dotaz |
 |
FGB40T65SPD_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK | Dotaz |
 |
IXGA12N60C | IXYS | IGBT 600V 24A 100W TO263AA | Dotaz |
|
IRG4BC30K-STRRP | Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 100W D2PAK | Dotaz |
 |
IXYH30N65C3 | IXYS | IGBT 650V 60A 270W TO247AD | Dotaz |
|
IRGP4690D-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 140A 454W TO247AD | Dotaz |
 |
IXGQ20N120B | IXYS | IGBT 1200V 40A 190W TO3P | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog