SQJ418EP-T1_GE3
SQJ418EP-T1_GE3
Part Number:
SQJ418EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 100V 48A SO8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
17892 Pieces
Datový list:
SQJ418EP-T1_GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SQJ418EP-T1_GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SQJ418EP-T1_GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SQJ418EP-T1_GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max):68W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Ostatní jména:SQJ418EP-T1_GE3TR
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SQJ418EP-T1_GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 100V 48A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):100V
Popis:MOSFET N-CH 100V 48A SO8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře