Koupit SQ4401EY-T1_GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 14 mOhm @ 10.5A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 7.14W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Ostatní jména: | SQ4401EY-T1-GE3 SQ4401EY-T1-GE3-ND SQ4401EY-T1_GE3TR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 18 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | SQ4401EY-T1_GE3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4250pF @ 20V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 115nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | P-Channel 40V 17.3A (Tc) 7.14W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 40V |
Popis: | MOSFET P-CH 40V 17.3A |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 17.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |