Koupit SPI20N60C3HKSA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
| Vgs (th) (max) 'Id: | 3.9V @ 1mA |
|---|---|
| Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO262-3-1 |
| Série: | CoolMOS™ |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Ztráta energie (Max): | 208W (Tc) |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Ostatní jména: | SP000014453 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | SPI20N60C3HKSA1 |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 114nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Rozšířený popis: | N-Channel 600V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 600V |
| Popis: | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 20.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |