SISA96DN-T1-GE3
SISA96DN-T1-GE3
Part Number:
SISA96DN-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
12809 Pieces
Datový list:
SISA96DN-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SISA96DN-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SISA96DN-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SISA96DN-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -16V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® 1212-8
Série:TrenchFET® Gen IV
RDS On (Max) @ Id, Vgs:8.8 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max):26.5W (Tc)
Obal:Original-Reel®
Paket / krabice:PowerPAK® 1212-8
Ostatní jména:SISA96DN-T1-GE3DKR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:16 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SISA96DN-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1385pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):4.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře