Koupit SISA96DN-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 2.2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | +20V, -16V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Série: | TrenchFET® Gen IV |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 8.8 mOhm @ 10A, 10V |
Ztráta energie (Max): | 26.5W (Tc) |
Obal: | Original-Reel® |
Paket / krabice: | PowerPAK® 1212-8 |
Ostatní jména: | SISA96DN-T1-GE3DKR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | SISA96DN-T1-GE3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1385pF @ 15V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 30V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 4.5V, 10V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Popis: | MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |