SIR632DP-T1-RE3
SIR632DP-T1-RE3
Part Number:
SIR632DP-T1-RE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 150V 29A SO8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14341 Pieces
Datový list:
SIR632DP-T1-RE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SIR632DP-T1-RE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SIR632DP-T1-RE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SIR632DP-T1-RE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:PowerPAK® SO-8
Série:ThunderFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:34.5 mOhm @ 10A, 10V
Ztráta energie (Max):69.5W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:PowerPAK® SO-8
Ostatní jména:SIR632DP-T1-RE3TR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:19 Weeks
Výrobní číslo výrobce:SIR632DP-T1-RE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:740pF @ 75V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 7.5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 150V 29A (Tc) 69.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):7.5V, 10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):150V
Popis:MOSFET N-CH 150V 29A SO8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:29A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře