SIE862DF-T1-GE3
SIE862DF-T1-GE3
Part Number:
SIE862DF-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14186 Pieces
Datový list:
SIE862DF-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SIE862DF-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SIE862DF-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SIE862DF-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.2V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:10-PolarPAK® (U)
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 20A, 10V
Ztráta energie (Max):5.2W (Ta), 104W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:10-PolarPAK® (U)
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SIE862DF-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:3100pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (U)
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře