Koupit SI7882DP-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1.4V @ 250µA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® SO-8 |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 1.9W (Ta) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | PowerPAK® SO-8 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce: | SI7882DP-T1-E3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 4.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 12V |
Popis: | MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta) |
Email: | [email protected] |