Koupit SI7111EDN-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1.6V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±12V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | PowerPAK® 1212-8 |
Série: | TrenchFET® Gen III |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 52W (Tc) |
Obal: | Original-Reel® |
Paket / krabice: | PowerPAK® 1212-8 |
Ostatní jména: | SI7111EDN-T1-GE3DKR |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 19 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | SI7111EDN-T1-GE3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 5860pF @ 15V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 2.5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | P-Channel 30V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 2.5V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V |
Popis: | MOSFET P-CH 30V 60A 1212-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |