Koupit SI5475DDC-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 1206-8 ChipFET™ |
Série: | TrenchFET® |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 32 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-SMD, Flat Lead |
Ostatní jména: | SI5475DDC-T1-GE3TR SI5475DDCT1GE3 |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
Výrobní standardní doba výroby: | 24 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | SI5475DDC-T1-GE3 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 6V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 8V |
Typ FET: | P-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | P-Channel 12V 6A (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.): | 1.8V, 4.5V |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 12V |
Popis: | MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8 |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |