SI5424DC-T1-E3
SI5424DC-T1-E3
Part Number:
SI5424DC-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
16748 Pieces
Datový list:
SI5424DC-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI5424DC-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI5424DC-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI5424DC-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:2.3V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:1206-8 ChipFET™
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 4.8A, 10V
Ztráta energie (Max):2.5W (Ta), 6.25W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:8-SMD, Flat Lead
Ostatní jména:SI5424DC-T1-E3TR
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI5424DC-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 15V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:32nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 30V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře