SI3455ADV-T1-GE3
SI3455ADV-T1-GE3
Part Number:
SI3455ADV-T1-GE3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15330 Pieces
Datový list:
SI3455ADV-T1-GE3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI3455ADV-T1-GE3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI3455ADV-T1-GE3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI3455ADV-T1-GE3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:6-TSOP
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3.5A, 10V
Ztráta energie (Max):1.14W (Ta)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI3455ADV-T1-GE3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:-
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 30V 2.7A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Drain na zdroj napětí (Vdss):30V
Popis:MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře