SI3407DV-T1-E3
SI3407DV-T1-E3
Part Number:
SI3407DV-T1-E3
Výrobce:
Vishay / Siliconix
Popis:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
14530 Pieces
Datový list:
SI3407DV-T1-E3.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro SI3407DV-T1-E3, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SI3407DV-T1-E3 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit SI3407DV-T1-E3 s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:1.5V @ 250µA
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:6-TSOP
Série:TrenchFET®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Ztráta energie (Max):2W (Ta), 4.2W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní číslo výrobce:SI3407DV-T1-E3
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1670pF @ 10V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:63nC @ 10V
Typ FET:P-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:P-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Drain na zdroj napětí (Vdss):20V
Popis:MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře