Koupit SGB07N120ATMA1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
SGB07N120ATMA1
- Part Number:
- SGB07N120ATMA1
- Popis:
- IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 13658 Pieces
- Datový list:
- SGB07N120ATMA1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro SGB07N120ATMA1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu SGB07N120ATMA1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max): | 1200V |
|---|---|
| VCE (o) (Max) @ VGE, Ic: | 3.6V @ 15V, 8A |
| Zkušební podmínky: | 800V, 8A, 47 Ohm, 15V |
| Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C: | 27ns/440ns |
| přepínání energie: | 1mJ |
| Dodavatel zařízení Package: | PG-TO263-3-2 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 125W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Ostatní jména: | SGB07N120 SGB07N120-ND SP000012559 |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce: | SGB07N120ATMA1 |
| Typ vstupu: | Standard |
| Typ IGBT: | NPT |
| Gate Charge: | 70nC |
| Rozšířený popis: | IGBT NPT 1200V 16.5A 125W Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Popis: | IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2 |
| Aktuální - sběratel Pulsní (ICM): | 27A |
| Proud - Collector (Ic) (Max): | 16.5A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SGB07N120ATMA1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXDP20N60B | IXYS | IGBT 600V 32A 140W TO220AB | Dotaz |
 |
IRG4RC10K | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | Dotaz |
 |
APT40GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 80A 345W TO247 | Dotaz |
 |
STGW30NC60VD | STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 250W TO247 | Dotaz |
 |
STGB12NB60KDT4 | STMicroelectronics | IGBT 600V 30A 125W D2PAK | Dotaz |
 |
IXGH28N60BD1 | IXYS | IGBT 600V 40A 150W TO247AD | Dotaz |
 |
RGTH40TS65GC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 650V 40A 144W TO-247N | Dotaz |
 |
RJH60A81RDPD-A0#J2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 5A | Dotaz |
 |
IKA08N65F5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 10.8A 31.2W TO220-3 | Dotaz |
|
APT50GT60BRG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 446W TO247 | Dotaz |
 |
APT25GR120SSCD10 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | Dotaz |
 |
IRG4IBC20KD | Infineon Technologies | IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog