RFD3055LE
RFD3055LE
Part Number:
RFD3055LE
Výrobce:
Fairchild/ON Semiconductor
Popis:
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
15367 Pieces
Datový list:
RFD3055LE.pdf

Úvod

BYCHIPS je distribuční odrůda pro RFD3055LE, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu RFD3055LE e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Koupit RFD3055LE s BYCHPS
Koupit se zárukou

Specifikace

Vgs (th) (max) 'Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-251AA
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:107 mOhm @ 8A, 5V
Ztráta energie (Max):38W (Tc)
Obal:Tube
Paket / krabice:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Provozní teplota:-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:6 Weeks
Výrobní číslo výrobce:RFD3055LE
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:350pF @ 25V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:11.3nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Rozšířený popis:N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):60V
Popis:MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře