Koupit PTF180101S V1 s BYCHPS
Koupit se zárukou
PTF180101S V1
- Part Number:
- PTF180101S V1
- Popis:
- FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
- Stav volného vedení / RoHS:
- Bez olova / V souladu RoHS
- dostupné množství:
- 16624 Pieces
- Datový list:
- PTF180101S V1.pdf
Úvod
BYCHIPS je distribuční odrůda pro PTF180101S V1, máme zásoby pro okamžitou přepravu a také k dispozici pro dlouhodobé zásobování. Zašlete nám svůj plán nákupu PTF180101S V1 e-mailem vám poskytneme nejlepší cenu podle svého plánu.
Specifikace
| Napětí - Test: | 28V |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá: | 65V |
| Transistor Type: | LDMOS |
| Dodavatel zařízení Package: | H-32259-2 |
| Série: | GOLDMOS® |
| Power - Výstup: | 10W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | H32259-2 |
| Ostatní jména: | F180101SV1XT PTF180101SV1XT SP000009989 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Výrobní číslo výrobce: | PTF180101S V1 |
| Získat: | 19dB |
| Frekvence: | 1.99GHz |
| Rozšířený popis: | RF Mosfet LDMOS 28V 180mA 1.99GHz 19dB 10W H-32259-2 |
| Popis: | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 1µA |
| Aktuální - Test: | 180mA |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro PTF180101S V1
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
MRF7S21110HR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ NI-780 | Dotaz |
 |
PTF180101M V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 | Dotaz |
 |
CGH80030D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Dotaz |
 |
BLF6G27LS-50BN,112 | NXP USA Inc. | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B | Dotaz |
 |
BLF8G10L-160,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A | Dotaz |
 |
BLF8G09LS-400PWU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B | Dotaz |
 |
MRF6V2300NBR5 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | Dotaz |
 |
PXAC241702FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | Dotaz |
 |
IXZR08N120A-00 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
PTFA092211FLV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS | Dotaz |
 |
CE3512K2-C1 | CEL | RF FET 4V 12GHZ 4MICROX | Dotaz |
 |
BF998,215 | NXP USA Inc. | MOSFET NCH DUAL GATE 12V SOT143B | Dotaz |
 |
MRF275L | M/A-Com Technology Solutions | FET RF 65V 500MHZ 333-04 | Dotaz |
 |
MRF8HP21130HSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.17GHZ NI780S-4 | Dotaz |
|
MRF281ZR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z | Dotaz |
Latest News
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers