Koupit PSMN006-20K,518 s BYCHPS
Koupit se zárukou
Vgs (th) (max) 'Id: | 700mV @ 1mA |
---|---|
Technika: | MOSFET (Metal Oxide) |
Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
Série: | TrenchMOS™ |
RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Ztráta energie (Max): | 8.3W (Tc) |
Obal: | Tape & Reel (TR) |
Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Ostatní jména: | 934057032518 PSMN006-20K /T3 PSMN006-20K /T3-ND |
Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ montáže: | Surface Mount |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 2 (1 Year) |
Výrobní standardní doba výroby: | 16 Weeks |
Výrobní číslo výrobce: | PSMN006-20K,518 |
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | 4350pF @ 20V |
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 2.5V |
Typ FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Rozšířený popis: | N-Channel 20V 32A (Tc) 8.3W (Tc) Surface Mount 8-SO |
Drain na zdroj napětí (Vdss): | 20V |
Popis: | MOSFET N-CH 20V 32A 8-SOIC |
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 32A (Tc) |
Email: | [email protected] |